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什么是可控硅及應用

2015-10-09 10:22:44 5e

什么是可控硅及應用,可控硅的概念

可控硅也稱作晶閘管,電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,并且不像繼電器那樣控制時有火花產生,而且動作快、壽命長、可靠性好。

可控硅投切電容器,是利用了電子開關反應速度快的特點。采用過零觸發電路,檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時,發出觸發信號,可控硅導通。此時電容器的電壓與電網電壓相等,因此不會產生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。

主要參數

電壓平均值

額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極--陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

峰值電壓

正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值;反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。

電流

額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

耐壓

反向重復峰值電流(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

觸發電流

控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

額定正向平均電流

在規定環境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。

控制極觸發電流1g1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極--陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。

維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

主要性能優點

1.無涌流,對系統無影響。

2.大功率晶閘管在一個諧波周期內完成電容器的投切,無論系統無功量變化多么頻繁,補償裝置都能實現動態無功功率跟隨補償,其響應時間≤20ms。

3.動態跟隨補償的快速性,可對系統諧波作同步諧波濾除治理。

4.可做大容量,也可以做小容量,最大帶90Kvar;若300Kvar的補償整柜按30+45+60+75+90分組可在實現30Kvar倍數的前提下減少5個支路,增加8種補償容量(45、75、105、135、165、195、225、255)。

5.晶閘管投切開關通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強制風冷散熱模塊上,后期維護方便,如出現某只可控硅損壞可快速更換,其他可控硅可繼續使用。

6.動態跟蹤系統無功功率實時進行一步到位補償,漏補無功功率最小,適用場合不受負荷變化、諧波大小、系統容量的影響。

應用產品

成都瑞杰科能電氣有限公司(http://www.rogercanoo.com)自主研發散熱器智能模塊,該智能模塊為我司專利產品,其主要包含德國進口可控硅VMCK-120-18(VOMAT)、可控硅觸發模塊(自主研發)、溫控開關、鋁合金散熱器、(自主)、冷卻風機等,能實現可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能,用于低壓系統容性負載的通斷控制,無沖擊涌流,無過壓,工作時無噪音,允許頻繁投切,安裝、接線簡單方便,特別適合動態補償的電容投切使用【低壓無功動態補償裝置(RWDB-K)】。

應用領域

用戶可根據工程上的要求,有目的進行選型,以實現滿意的技術經濟性能。對于需要快速頻繁投切電容補償的用戶,如商場、酒店、寫字樓、商業綜合體等場所,電焊、電梯、空調等設備,應選用無觸點可控硅投切電容裝置,才能達到應有的補償效果。對于其它一般工廠、小區和普通設備,無功量變化時間較快的場合,還是考慮選用對電網無沖擊、安全、經濟、使用壽命長的無觸點可控硅進行電容器的投切。




責任編輯: 李穎

標簽:可控硅