4月19日，保利協鑫在2017 SNEC國際太陽能產業及光伏工程展覽會上重磅發布G3新型單晶硅片產品。據介紹，該產品使用鑄錠技術生產單晶，在效率、品質、成本、產量上綜合了單晶和多晶各自的優勢。來自多家電池組件企業的數據顯示，新型單晶硅片G3在常規電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個百分點，同時在成本上有明顯優勢，對光伏的高效化、平價化發展意義重大，有望給傳統單晶技術帶來深刻變革。

G3新品創造性地使用鑄錠技術生產單晶，“新”在鑄錠技術和單晶的完美結合。據保利協鑫首席技術官萬躍鵬介紹，一直以來，光伏企業都采用鑄錠技術生產多晶、用直拉法生產單晶。但無論鑄錠技術還是直拉技術，都可以生產單晶或者多晶。保利協鑫采用新一代鑄錠技術路線生產單晶，融合了單晶完美的晶體結構和表面特性、多晶的低成本等優勢，G3新產品無論是外觀還是位錯密度都可媲美直拉單晶。而且，鑄錠“鑫單晶”硅片光衰更低、組件封裝損失小且更容易擴大尺寸，全壽命周期的實際輸出功率更高，可為應用端帶來實實在在的高收益。

萬躍鵬用“高產能、高效率、低成本、低光衰”概括新產品的多重優點。由于鑄錠單晶技術產出的同樣是晶向一致、位錯密度低的單晶，可與傳統直拉單晶一樣使用堿制絨工藝，因此轉換效率非常接近直拉單晶產品，并完全適用于PERC等高效電池技術，帶來更高的產品效率。同時，G3硅片還繼承了鑄錠技術產品“光衰”較低的優點，氧含量僅為直拉單晶的一半，甚至優于常規多晶硅片，因而由此帶來的組件光衰顯著優于傳統直拉單晶。不僅如此，新型G3硅片比同樣邊長為156.75mm的直拉單晶硅片面積多出136mm²，這意味著封裝成組件時的損失更小。

更難能可貴的是，以上這些收益都是在低成本的情況下實現的。不同于采用直拉法制備的傳統單晶，新產品采用鑄錠技術，單次投料量大，生產成本明顯優于采用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。鑄錠單晶的晶體結構意味著其可以完美匹配金剛線切割技術，切割過程的硅料損失更小并可以生產更薄的硅片，這都是鑄錠單晶成本更低的原因所在。總體而言，保利協鑫G3新型單晶硅片使用的鑄錠技術，在實現高效率、高收益的同時，十分討巧地避開了單多晶各自的劣勢，有望給當前單晶、多晶對立的競爭格局帶來新的改變。